长沙集电环自主研发生产质量保证，河北康盛机电设备有限公司专业生产集电环,电机集电环，异型集电环，电机碳刷等产品,是一家专业的导电环厂家，我公司产品自主研发生产，质量保证，多种款式任您挑选。详情登录：http://www.hjhbhg.com/index.html

    （1）碳刷反应温度反应温度是影响CVD过程主要的工艺条件之一。一般而言，同一反应体系随着温度的升高，气相沉积速率加快，相应的薄膜生长速率也随之加快，但是在达到一定温度后，薄膜的生长速率则趋于稳定。需要注意的是，不同温度条件下的同一反应体系，依据反应条件及基底材料的温度、后处理条件（如退火条件）等所制得薄膜的结构缺陷、纯度及其表现出来的各种物理性质均有一定的差。
    （2）碳刷反应室压力CVD沉积薄膜一般采用封管法、开管法两种方法制备。封管法是把一定量的反应物和适当的基底分别放在反应器的两端，管内抽真空后充入一定量的反应气体，然后密封，再将反应器置于双温区内，使反应管内形成温度梯度。系统内的总压对封管系统往往起到重要作用，它直接影响到管内气体的输送速度，从而影响到沉积膜的质量。在真空条件下，沉积膜的均匀性和附着性往往会得到改善。开管法是将气源气体向反应器内吹送，保持在一个大气压的条件下沉积成膜，特点是反应气体混合物能够连续补充，同时废弃的反应产物不断排出沉积室。
    （3）碳刷反应时间反应时间的长短直接影响到沉积膜的质量、厚度及沉积膜颗粒的大小。在化学气相沉积生长硅纳米线的实验中，发现时间的长短与制备得到的硅纳米线的长度、直径及厚度有一定关系，时间越长，硅纳米线的长度越长，直径与厚度越大。

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